FF分析

填充因子:(Fill factor)示意最大輸出功率Im*Vm與極限輸出功率IscVoc之比，通常以FF示意，即：FF= ImVm /IscVoc 填充因子是表征太陽電池優劣的重要參數之一。

太陽能電池作為一種半導體器件，其I-V曲線必然復合半導體I-V曲線特征。

以最大功率點在I-V曲線上的形成的矩形面積除以Voc與Isc形成的面積作為FF，即填充因子。作為半導體器件，其在Isc附近的曲線符合電流源特性，在Voc附近的曲線符合電壓源特性，因此以Isc附近曲線斜率倒數作為并聯電阻Rsh，以Voc附近曲線斜率倒數作為串聯電阻Rs。

從圖中可見，Isc附近曲線斜率與Voc附近曲線斜率對FF影響極大，即FF大小受制于Rs與Rsh。

測試過程中亮場與暗場情景下正向與反向偏壓的I-V曲線如下所示。

◎?串聯電阻測量方式

RserLf:在亮場正向偏壓下，Uoc附近電壓變化較小，利用線性回歸計算得出。

RserDf:在暗場正向偏壓下，選取I-V曲線中的某段曲線，利用線性回歸計算得出，回歸的區域可以利用軟件設置。

RserLfDf:根據亮場與暗場的正向偏壓曲線計算得出，因二極管效應在亮場與暗場下存在差異。

ReserIEC891:根據國際標準IEC891，利用2級或3級光源來計算，取值的差異取決于運用的光強等級。

Halm：ReserIEC891:此項為測試串阻。

Berger：計算值運用 DIN EN 60891標準，運用的光強分別為1000W與500W，計算公式為?U/(Isc@1000-Isc@500W)

◎?并聯電阻測量方式

RshuntLf:在亮場正向偏壓下，Isc附近電流變化較小，利用線性回歸計算得出。

RshuntDr:利用暗場反向偏壓的線性回歸測試的并阻。

RshuntDf:利用暗場正向偏壓下測量的并阻，不合適測量并聯電阻低的電池。

Halm：RshuntDfDr:同時測量RshuntDr和RshuntDf，通常情景下將及時得出采用RshundDf，在并聯較低的情景下，采用RshuntDr。

Berger：采用RshuntDr作為并聯電阻

串聯電阻構成

相關項

測試手段

影響比例

基體電阻Rbase

基體電阻率

外檢電阻率測試儀MS203

/

表層電阻R口

擴散工藝

四探針測試儀

方阻降低5Ω/口，串阻增大約0.2mΩ

接觸電阻Rcontact

擴散工藝、漿料、燒結工藝

correscan測試儀

/

柵線電阻Rfinger

漿料、印刷工藝、燒結工藝

無

柵線高度升高2μm，串阻增大約0.1mΩ

背接觸電阻Rscon

漿料、燒結工藝

無

/

背鋁層電阻RAl

漿料、燒結工藝

無

/

并聯電阻構成

相關項

測試手段

基體缺陷復合

硅材料

PL、Suns-voc、EL

PN結漏電

污染、劃傷、

Suns-voc、EL

邊緣漏電

刻蝕、污染

EL

來源:雪球-摩爾光伏