第3代半導體股票有哪些 第一代 第二代 第三代半導體材料分別是

一、第一代、第二代、第三代半導體材料分別是？

1.第一代半導體材料主要是指硅（Si）、鍺元素（Ge）半導體材料。作為第一代半導體材料的鍺和硅，在國際信息產業技術中的各類分立器件和應用極為普遍的集成電路、電子信息網絡工程、電腦、手機、電視、航空航天、各類軍事工程和迅速發展的新能源、硅光伏產業中都得到了極為廣泛的應用，硅芯片在人類社會的每一個角落無不閃爍著它的光輝。2.第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP；還有一些固溶體半導體，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半導體（又稱非晶態半導體），如非晶硅、玻璃態氧化物半導體；有機半導體，如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。3.第三代半導體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導體材料。在應用方面，根據第三代半導體的發展情況，其主要應用為半導體照明、電力電子器件、激光器和探測器、以及其他4個領域，每個領域產業成熟度各不相同。在前沿研究領域，寬禁帶半導體還處于實驗室研發階段。擴展資料Si和化合物半導體是兩種互補的材料，化合物的某些性能優點彌補了Si晶體的缺點，而Si晶體的生產工藝又明顯的有不可取代的優勢，且兩者在應用領域都有一定的局限性，因此在半導體的應用上常常采用兼容手段將這二者兼容，取各自的優點，從而生產出符合更高要求的產品，如高可靠、高速度的國防軍事產品。因此第一、二代是一種長期共同的狀態。但是第三代寬禁帶半導體材料，可以被廣泛應用在各個領域，消費電子、照明、新能源汽車、導彈、衛星等，且具備眾多的優良性能可突破第一、二代半導體材料的發展瓶頸，故被市場看好的同時，隨著技術的發展有望全面取代第一、二代半導體材料。參考資料搜狗百科——半導體材料

二、“華虹宏力半導體有限公司”是國企嘛?

華虹宏力半導體有限公司不是國企，企業性質為：有限責任公司(臺港澳法人獨資)。華虹宏力半導體有限公司全稱為：上海華虹宏力半導體制造有限公司。統一社會信用代碼：91310000057674532R注冊資本：782857.775900萬人民幣成立日期：2013年01月24日登記機關：上海市工商局住所：中國（上海）自由貿易試驗區祖沖之路1399號經營范圍：集成電路產品有關的設計、開發、制造、測試、封裝，銷售集成電路產品及相關技術支持，銷售自產產品。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】擴展資料：1、經營項目的說明：研發及制造專業應用的200mm晶圓半導體。尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。2、公司的技術組合：包括RFCMOS、模擬及混合信號、電源管理及MEMS等若干其他先進工藝技術。利用自身的專有工藝及技術，公司為多元化的客戶制造其設計規格的半導體，客戶包括集成器件制造商，及系統及無廠半導體公司。考慮到工藝的性能、成本及制造良率，公司亦提供設計支援服務，以便對復雜的設計進行優化。3、產品應用：目前公司生產的半導體可被應用于不同市場（包括電子消費品、通訊、計算機及工業及汽車）的各種產品中。參考資料來源：國家企業信用信息公式系統—上海華虹宏力半導體制造有限公司參考資料來源：上海華虹宏力半導體制造有限公司官網—企業產品概況

三、第一代、第二代、第三代半導體材料分別是？

四、第三代半導體材料有哪些？

碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）。1、碳化硅（SiC）碳化硅，化學式SiC，俗稱金剛砂，寶石名稱鉆髓，為硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然以莫桑石這種稀罕的礦物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。?2、氮化鎵（GaN）氮化鎵是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光的條件下，產生紫光激光。?3、氧化鋅（ZnO）氧化鋅是鋅的氧化物，難溶于水，可溶于酸和強堿。它是白色固體，故又稱鋅白。它能通過燃燒鋅或焙燒閃鋅礦取得。在自然中，氧化鋅是礦物紅鋅礦的主要成分。人造氧化鋅有兩種制造方法：由純鋅氧化或烘燒鋅礦石而成。4、金剛石金剛石（diamond），俗稱“金剛鉆”，它是一種由碳元素組成的礦物，是石墨的同素異形體，化學式為C，也是常見的鉆石的原身。金剛石是自然界中天然存在的最堅硬的物質。石墨可以在高溫、高壓下形成人造金剛石。金剛石的用途非常廣泛，例如：工藝品、工業中的切割工具，也是一種貴重寶石。5、氮化鋁（AlN）氮化鋁是鋁的氮化物。纖鋅礦狀態的氮化鋁是一種寬帶隙的半導體材料。故也是可應用于深紫外線光電子學的半導體物料。

五、天津中環半導體股份有限公司的介紹

天津中環半導體股份有限公司成立于1999年，前身為1969年組建的天津市第三半導體器件廠，2004年完成股份制改造，2007年4月在深圳證券交易所上市，股票簡稱“中環股份”，代碼為002129。是生產經營半導體材料和半導體集成電路與器件的高新技術企業，公司注冊資本482,829,608元，總資產達20.51 億。

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